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MOSFET IXYS, canale N, 24 mΩ, 96 A, TO-247, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1684465
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFH96N20P
EAN/GTIN:
     5059041345354
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS. MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
96 A
Tensione massima drain source:
200 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
HiperFET, Polar
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
24 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Dissipazione di potenza massima:
600 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
16.26mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1684465, Semiconduttori, Discreti, IXYS, IXFH96N20P
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