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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 50 A, TO-268


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1684411
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXGT30N120B3D1
EAN/GTIN:
     5059041334419
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
IGBT Discreti, IXYS
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
50 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tipo di package:
TO-268
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
16.05 x 14 x 5.1mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1684411, Semiconduttori, Discreti, IGBT, IXYS, IXGT30N120B3D1
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