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MOSFET onsemi, canale N, P, 95 mΩ, 190 mΩ, 3,5 A, 3,9 A, SOIC, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1661620
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     SI4532DY
EAN/GTIN:
     5059042255362
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N, P
Corrente massima continuativa di drain:
3,5 A, 3,9 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOIC
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
95 mΩ, 190 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
2 W
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1661620, Semiconduttori, Discreti, onsemi, SI4532DY
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