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MOSFET Vishay, canale N, 47 mΩ, 28 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1656981
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIS892ADN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040652729
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
28 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
47 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
52 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3.4mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1656981, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIS892ADNT1GE3
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Accessori
Driver gate MOSFET TC4420EOA, CMOS, TTL, 6 A, 18V, SOIC, 8-Pin
Microchip Technology
TC4420EOA
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