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MOSFET Vishay, canale P, 200 mΩ, 13 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1655997
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHF9540STRL-GE3
EAN/GTIN:
     5059040657243
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
13 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
200 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
150 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 1655997, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHF9540STRLGE3
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