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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 10 A, canale N, D2PAK (TO-263)


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N. Articolo:
     3369E-1655613
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IGB10N60TATMA1
EAN/GTIN:
     5059043328614
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido. Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V VCEsat molto bassa Poche perdite di spegnimento Bassa corrente di coda EMI ridotte Temperatura di giunzione massima: 175 °C
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
10 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
110 W
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
10.31 x 9.45 x 4.57mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-40 °C
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1655613, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IGB10N60TATMA1
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