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MOSFET onsemi, canale N, 8,8 mΩ, 71 A, DFN, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-1630305
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVMFS5C670NLT1G
EAN/GTIN:
     5059042465594
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
71 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
DFN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
5
Resistenza massima drain source:
8,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
61 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 1630305, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVMFS5C670NLT1G
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