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MOSFET onsemi, canale P, 550 mΩ, 400 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1629611
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTR0202PLT1G
EAN/GTIN:
     5059042150346
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
400 mA
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
550 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.3V
Dissipazione di potenza massima:
225 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3.04mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET, mosfet di potenza, 1629611, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NTR0202PLT1G
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Scheda: universale; multiadattatore; W: 22,8mm; L: 46,72mm
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