MOSFET Nexperia, canale P, 950 mΩ, 2,9 A, DFN1010D-3, SOT1215, Montaggio superficiale

MOSFET Trench a canale P da 20 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un contenitore di plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010D-3 (SOT1215) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.Tecnologia MOSFET Trench Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm Drenaggio esposto per uneccellente conduzione termica Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 1,5 kV HBM Resistenza in stato attivo drain-source RDSon = 69 mΩ Bassa tensione di soglia gate-source per le applicazioni portatili VGS(th) = -0,68 V Interruttore di carico high-side e interruttore di carica per dispositivi portatili Gestione dellalimentazione in dispositivi portatili a batteria Driver LED Convertitori c.c.-c.c.