MOSFET Nexperia, canale N, 892 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET a canale N da 75 V - 200 V. Vi trovate all’interno di una delle principali gamme di MOS standard al mondo. State cercando MOSFET ad alta affidabilità nella gamma da 75 a 200 V che semplifichino la progettazione? I nostri prodotti sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione, e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area). Per esempio, la nostra gamma di MOSFET di potenza LFPAK vanta una RDSon ultra-bassa, commutazione ad alta velocità e valori di tensione nominale fino a 200 V.MOSFET Trench a canale N da 100 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica SOT23 (TO-236AB) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.Compatibile a livello logico Commutazione rapidissima Tecnologia MOSFET Trench Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM Qualifica AEC-Q101 Driver relè Driver di linea ad alta velocità Interruttore di carico low-side Circuiti di commutazione