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MOSFET Nexperia, canale N, 54 mΩ, 32 A, LFPAK33, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1527163
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK9M24-60EX
EAN/GTIN:
     5059043686943
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N di livello logico da 24 mΩ, 60 V, in contenitore LFPAK33. MOSFET a canale N di livello logico in contenitore LFPAK33 (Power33) che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato e qualificato sulla base della norma AEC-Q101 per luso in applicazioni ad alte prestazioni nel settore automobilistico.Conforme a Q101 Valori a valanga ripetitivi Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C Stadio pilota di livello logico reale con valore nominale VGS(th) superiore a 0,5 V a 175°C Sistemi automobilistici da 12 V Controllo di motori, lampaed e solenoidi Controllo della trasmissione Commutazione di potenza con prestazioni estremamente elevate
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
32 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
LFPAK33
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
54 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.45V
Tensione di soglia gate minima:
0.5V
Dissipazione di potenza massima:
55 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
15 V
Lunghezza:
3.4mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, 1527163, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, BUK9M2460EX
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