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MOSFET Vishay, canale P, 280 mΩ, 1,6 A, HVMDIP, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1451912
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRFD9020PBF
EAN/GTIN:
     5059040803770
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
1,6 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
HVMDIP
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
280 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
1,3 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.29mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 1451912, Semiconduttori, Discreti, Vishay, IRFD9020PBF
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