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MOSFET Nexperia, canale P, 170 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1364849
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BSH205G2R
EAN/GTIN:
     5059043638041
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale P, Nexperia
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
2,3 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-23
Serie:
BSH205G2
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
170 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
0.95V
Tensione di soglia gate minima:
0.45V
Dissipazione di potenza massima:
6,25 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
3mm
Altri termini di ricerca: 1364849, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, BSH205G2R
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