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MOSFET Vishay, canale N, 1,15 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-1349165
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIRA90DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     5059040660885
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
PowerPAK SO-8
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
1,15 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Tensione di soglia gate minima:
0.8V
Dissipazione di potenza massima:
104 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
+20 V
Lunghezza:
6.25mm
Altri termini di ricerca: 1349165, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIRA90DPT1RE3
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