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MOSFET Nexperia, canale P, 76 mΩ, 3.9 A, TO-236AB, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-134295
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PMV65XP,215
EAN/GTIN:
     5059043357553
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale P, Nexperia
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
3.9 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
TO-236AB
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
76 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
0.9V
Tensione di soglia gate minima:
0.47V
Dissipazione di potenza massima:
1920 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±12 V
Lunghezza:
3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 134295, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, PMV65XP,215
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