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MOSFET Infineon, canale N, 105 mΩ, 18 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1301000
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFS4020TRLPBF
EAN/GTIN:
     5059043054728
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET audio digitale, Infineon. Gli amplificatori di classe D stanno diventando velocemente la soluzione preferita per sistemi audio e video professionali e domestici. Infineon offre una gamma completa che semplifica il design degli amplificatori di classe D ad alta efficienza.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
18 A
Tensione massima drain source:
200 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
105 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.9V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
100 W
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1301000, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFS4020TRLPBF
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