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IGBT IXYS, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1258051
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXXK110N65B4H1
EAN/GTIN:
     5059041077675
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
IGBT Discreti, IXYS
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
570 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
880 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
TO-264
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
10 → 30kHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
20.3 x 5.3 x 26.6mm
Classe di efficienza energetica:
3mJ
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 1258051, Semiconduttori, Discreti, IGBT, IXYS, IXXK110N65B4H1
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