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MOSFET Nexperia, canale N, 3,7 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1242411
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN2R6-40YS
EAN/GTIN:
     5059043020167
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N, da 40 V a 55 V.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
3,7 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
131 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 1242411, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, PSMN2R640YS
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