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MOSFET onsemi, canale N, 100 mΩ, 4 A, SOT-223, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1241724
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NDT3055L
EAN/GTIN:
     5059042707731
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
4 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-223
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
100 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
3 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, 1241724, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NDT3055L
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Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 10,8 → 13,2 V c.c., Vout -5 V dc, 20V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ2D122005SC
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 13,5 → 16,5 V c.c., Vout -5 V dc, 20V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ2D152005SC
a partire da € 6,249*
Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 9 → 18 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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