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MOSFET onsemi, canale N, 65 mΩ, 2,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1241703
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDN337N
EAN/GTIN:
     5059042707724
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,2 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
65 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1V
Tensione di soglia gate minima:
0.4V
Dissipazione di potenza massima:
500 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
2.92mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, 1241703, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDN337N
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Accessori
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 10,8 → 13,2 V c.c., Vout -5 V dc, 20V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ2D122005SC
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 13,5 → 16,5 V c.c., Vout -5 V dc, 20V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ2D152005SC
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 9 → 18 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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