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MOSFET onsemi, canale N, 12 mΩ, 10,6 A, MLP8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1241701
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMS5672
EAN/GTIN:
     5059042181548
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa. Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
10,6 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
MLP8
Serie:
UltraFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
12 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
2,5 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1241701, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDMS5672
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