MOSFET onsemi, canale P, 54 mΩ, 7,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor. La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce. Caratteristiche e vantaggi:. Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata Progettazione celle ad alta densità Corrente di saturazione elevata Commutazione superiore Prestazioni robuste e affidabili Tecnologia DMOS. Applicazioni:. Commutazione del carico Convertitore DC/DC Protezione della batteria Controllo della gestione dell'alimentazione Comando motore DC