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IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 150 A, canale N, TO-247


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1241337
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FGY75N60SMD
EAN/GTIN:
     5059042548150
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
IGBT discreti, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
150 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
750 W
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
15.87 x 4.82 x 20.32mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 1241337, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, FGY75N60SMD
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Accessori
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti accessori:
Tipo
Immagine
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Prezzo
Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 9 → 18 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
a partire da € 15,88*
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