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MOSFET onsemi, canale N, 129 mΩ, 28 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1241330
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDB28N30TM
EAN/GTIN:
     5059042139877
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor. Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor. Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i MOSFET planari e fornisce inoltre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia dell'effetto valanga. Inoltre, il diodo ESD gate-sorgente interno consente al MOSFET UniFET-II™ di sopportare sollecitazioni da sovratensioni HBM di oltre 2000 V. I MOSFET UniFET™ sono adatti per le applicazioni con convertitori di potenza switching, come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione TV di display a schermo piatto (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) e resistenze elettroniche per lampade.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
28 A
Tensione massima drain source:
300 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
UniFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
129 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
250 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1241330, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDB28N30TM
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