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IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 120 A, canale N, TO-247AB


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N. Articolo:
     3369E-1241320
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FGH60N60SMD
EAN/GTIN:
     5059042704990
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor IGBT
FET di giunzione
IGBT discreti, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
120 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
600 W
Tipo di package:
TO-247AB
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: Transistor, Transistor di potenza, Transistori, Transistore, transistor igbt, 1241320, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, FGH60N60SMD
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Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 4,5 → 5,5 V c.c., Vout -8.7 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
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MGJ2D051509SC
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 4,5 → 9 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T05150505MC-R7
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