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MOSFET DiodesZetex, canale N, 120 mΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-1222873
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG2302U-7
EAN/GTIN:
     5059043287195
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
4,2 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
120 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
800 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
+8 V
Lunghezza:
3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 1222873, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMG2302U7
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