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MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 13,4 A, SOIC, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1219657
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI4403CDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040675483
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
13,4 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOIC
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
20 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1V
Tensione di soglia gate minima:
0.4V
Dissipazione di potenza massima:
5 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 1219657, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SI4403CDYT1GE3
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