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MOSFET DiodesZetex, canale P, 113 mΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1219547
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMP2305U-7
EAN/GTIN:
     5059043266626
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale P, da 12 V a 25 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
4,2 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
113 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
0.9V
Dissipazione di potenza massima:
1,4 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 1219547, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMP2305U7
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