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Modulo IGBT Fuji Electric, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, M712


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1109135
Produttore:
     Fuji Electric
N. Art. Produtt.:
     7MBR50VB-120-50
EAN/GTIN:
     5059045669135
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Moduli IGBT in confezione da 7, Fuji Electric. Serie V
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
50 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
280 W
Configurazione:
Ponte trifase
Tipo di package:
M712
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
24
Configurazione transistor:
Trifase
Dimensioni:
122 x 62 x 17mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Lunghezza:
122mm
Larghezza:
62mm
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 1109135, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Fuji Electric, 7MBR50VB12050
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