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MOSFET ON Semiconductor, canale N, 65 mΩ, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1035121
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTD18N06LT4G
EAN/GTIN:
     5059042358896
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
18 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
65 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
55 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-15 V, +15 V
Lunghezza:
6.73mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1035121, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NTD18N06LT4G
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