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Circuito RTC; 3-wire, SPI; NV SRAM; 96B; TSSOP20; 2÷5,5V


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Informazioni sul prodotto
Circuito RTC; 3-wire, SPI; NV SRAM; 96B; TSSOP20; 2÷5,5V
Circuito RTC; 3-wire, SPI; NV SRAM; 96B; TSSOP20; 2÷5,5V
N. Articolo:
     2808-DS1306E+
Produttore:
     Maxim Integrated
N. Art. Produtt.:
     DS1306E+
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
CI lineari
Circuito lineare integrato
Circuiti lineari integrati
Memoria NVRAM
Tipo di circuito integrato: circuito RTC
Interfaccia: 3-wire; SPI
Genere di memoria: NV SRAM
Capacità di memoria: 96B
Corpo: TSSOP20
Montaggio: SMD
Corrente di alimentazione DC: 1.28mA
Formato del timer: HH:MM:SS
Formato della data: YY-MM-DD
Corrente di sostegno del tempo: 0.45µA
Tensione di lavoro: 2...5.5V
Tensione d'uscita: 0.4...2.4V
Produttore: MAXIM-DALLAS
Altri termini di ricerca: Memorias NVRAM, SRAM
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