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MOSFET N/N, 100 V 2.1 A 1.8 W SO-8


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     115I-30041564
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     ZXMN10A08DN8TA
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
MOSFET
MOSFET, Temperatura di servizio: -55...+150 °C, Polarita: N/N, Tipo contenitore: SO-8, Varianti: Tipo ad arricchimento, Perdita di potenza: 1.8 W
Altre informazioni:
Gross weight:
0.001 kg
Net weight:
0.001 kg
Country of origin:
JP
Altri termini di ricerca: FET, potenza, Transistore, effetto di campo
Riepilogo condizioni1
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