Transistor di potenza  (20.409 offerte tra 5.318.173 articoli)

Il modulo doppio IGBT Infineon PrimePACK™3+ 1700 V, 1800 A con tecnologia di interconnessione a commutazione morbida TRENCHSTOP™ IGBT5 e .XT, diodo a 5 diodi e NTC controllati da emettitore. Dispon...

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 318 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensi...

Transistore di potenza standard bipolare dati tecnici: Caratteristiche (transistor): NPN · Case: TO-92-3 · Collettore di corrente I(C): 200 mA · Fabbricante: ON Semiconductor · Frequenza di transiz...

Tensione drain-source (Vds) canale N 12 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.8 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensio...

Il transistor bipolare a gate isolato Infineon è stato copacked con un diodo antiparallelo Rapid 1 rapido e soft in un contenitore completamente isolato.Elevata efficienza Basse perdite di commutaz...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.011 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

LIGBT Infineon da 40 A con diodo anti-parallelo è un diodo anti-parallelo a recupero rapido molto morbido e presenta un comportamento stabile in temperatura e robustezza elevata. Ha utilizzato una ...

Tensione di test di Rds(on) 4 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.3 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corr...

Il modulo IGBT doppio Infineon FF450R33T3E3 ha unelevata stabilità c.c. ed elevata capacità di cortocircuito con elevata affidabilità e lunga durata utile. Ha una bassa induttanza e un costo del si...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.025 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P ...

Corrente massima continuativa collettore = 1,8 kA Tensione massima collettore emitter = 1700 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 1,8 kW Tipo di package = AG-PRIM...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.011 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

Corrente massima continuativa collettore = 6,5 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = PG-TO252 Tipo di canale =...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.2 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Co...

Transistor bipolare a gate isolato Infineon con un potente diodo monolitico con bassa tensione diretta progettato per la commutazione graduale.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggi...