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  Transistor di potenza  (20.409 offerte tra 5.316.766 articoli)

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"Transistor di potenza"

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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 12 A, canale N, PG-TO252 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 12 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 88 W Tipo di package = PG-TO252 Tip...
Infineon
IGD06N60TATMA1
a partire da € 0,40*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMN24H11DSQ-7 MOSFET, CANALE N, 240V, 0.27A, SOT-23 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 3.7 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Cor...
Diodes
DMN24H11DSQ-7
a partire da € 0,132*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30V Dissipazione di potenza massima = 333 W Tipo di package = TO...
Infineon
IKW40N120CH7XKSA1
a partire da € 4,43*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMN3032LFDBWQ-13 MOSFET DUALE CAN N, 30V, 5.5A, U-DFN2020 (1 offerta) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 5.5 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vd...
Diodes
DMN3032LFDBWQ-13
a partire da € 0,265*
per pezzo
 
 pezzo
IXYS IXGN200N60B3 Modulo IGBT SOT-227B singolo Standard 600 V (2 offerte) 
Modulo IGBT dati tecnici: Capacità di ingresso: 26 nF · Caratteristiche (transistor): PT · Case: SOT-227B · Collettore di corrente I(C): 300 A · Collettore-emettitore tensione di blocco U (CES): 60...
IXYS
IXGN200N60B3
a partire da € 32,02*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 600 A, AG-PRIME2 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 600 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 3,35 kW Tipo di package = AG-PRI...
Infineon
FF600R12IE4BOSA1
a partire da € 1.135,38*
per 3 pezzi
 
 pacchetto
IXYS IXTK550N055T2 MOSFET 1 Canale N 1250 W TO-264 (2 offerte) 
MOSFET dati tecnici: C(ISS): 40000 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: TO-264 · Compatibile RoHS: Sì · Fab...
IXYS
IXTK550N055T2
a partire da € 15,77*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = Modulo Ti...
Infineon
FP50R12N2T7BPSA1
a partire da € 851,89*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
IXYS IXTP260N055T2 MOSFET 1 Canale N 480 W TO-220AB (2 offerte) 
MOSFET dati tecnici: C(ISS): 10800 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: TO-220AB · Compatibile RoHS: Sì · F...
IXYS
IXTP260N055T2
a partire da € 3,39*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 160 A, canale N, PG-TO247 (1 offerta) 
Infineon IKQ120N60T ha IGBT discreti a commutazione rigida da 600 V con diodo anti-parallelo che utilizza un IC a densità di potenza del sistema più elevata che aumenta mantenendo le stesse prestaz...
Infineon
IKQ120N60TXKSA1
a partire da € 7,416*
per pezzo
 
 pezzo
Kingbright Fotoaccoppiatore fototransistor KB 817 DIP-4 Transistor AC, DC (2 offerte) 
Optoisolatore tipo KB Optoisolatore versatile di Kingbright®. dati tecnici: Case: DIP-4 · Collettore di corrente I(C): 50 mA · Compatibile RoHS: Sì · Corrente diretta I(F): 50 mA · Fabbricante: Kin...
Kingbright
KB 817
a partire da € 0,54*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 6 Configurazione = Emettitore comune Tipo di...
Infineon
FP50R12W2T7BPSA1
a partire da € 46,487*
per pezzo
 
 pezzi
Lite-On Fotoaccoppiatore fototransistor 4N25 DIP-6 Transistor DC (2 offerte) 
Fotoaccoppiatore fototransistor dati tecnici: Case: DIP-6 · Collettore di corrente I(C): 100 mA · Compatibile RoHS: Sì · Corrente diretta I(F): 80 mA · Corrente diretta U(F): 1.2 V · Corrente uscit...
Lite-on
4N25
a partire da € 0,0806*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 600 A, canale N, AG-62MM (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 600 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 1,2 kW Tipo di package = AG-62MM ...
Infineon
FF600R12KE4BOSA1
a partire da € 1.666,61*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMN3016LSS-13 MOSFET, CANALE N, 30V, 10.3A, SOIC (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.008 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...
Diodes
DMN3016LSS-13
a partire da € 0,146*
per pezzo
 
 pezzo
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