Transistor a effetto campo  (7.274 offerte tra 5.315.550 articoli)

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

MOSFET dati tecnici: C(ISS): 20000 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: TO-247AD · Compatibile RoHS: Sì · F...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.04 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio s...

Qualificazioni - Tensione di test di Rds(on) 10 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Corrente Continua di Drain Id 20 A Sostanze estremamente preo...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.3 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Trans...

Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Montaggio Transistore Through Hole Resistenza Drain-Source in conduzione 0.014 ohm Tensione di test di Rds(on) 10 V Gamma di prodotti - Dissipazione di po...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.3 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Trans...

Corrente Continua di Drain Id 1.2 A Stile di Case del Transistor TO-220 Dissipazione di potenza 30 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Resistenza Drain-Source in conduzione 8 ohm Tensione ...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.007 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...

Gamma di prodotti - Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.036 ohm Montaggio Transistore Surface Mount Livello di sensibilità a...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.061 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...