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MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.026 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET conf...

MOSFET a canale N per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfett...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.14 ohm Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) Gamma d...

MOSFET doppio a canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET PowerTrench® Semis sono commutati di potenza ottimizzati che offrono maggiore efficienza del sistema e densità di potenza. C...

Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 23 A Temp...

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.045 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Configurazione...

MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.095 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...

MOSFET a canale N QFET® fino a 5,9 A, Fairchild Semiconductor. I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori pres...

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.026 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Configurazione...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.062 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Configurazione...

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è ...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.034 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...