MOSFET  (25.170 offerte tra 5.654.538 articoli)

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=TSM100N06CZ C0G, Corrente di drain continua (Id)=100 A, Dissipazione di potenza (Pd)=167 W, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=5.7 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=150 ...

MOSFET ; IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in grado di fornire ...

Corrente di Source (Sorgente) 4 A Tipo di Interruttore di Potenza HEMT su base GaN Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Non-Invertente Tensione di alimentazione max 20 V Livello di sensibilità all'...

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=IRFZ14PBF, Corrente di drain continua (Id)=10 A, Dissipazione di potenza (Pd)=43 W, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=200 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=175 °C, Temp...

MOSFET ; IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in grado di fornire...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 400 µohm Gamma di prodotti OptiMOS 5 Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale can...

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=IRLZ14PBF, Corrente di drain continua (Id)=10 A, Dissipazione di potenza (Pd)=43 W, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=200 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=175 °C, Temp...

MOSFET ; IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in grado di fornire ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0012 ohm Gamma di prodotti OptiMOS SC Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Mont...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

Il dispositivo TD350E è un driver Advanced gate per IGBT e MOSFET di potenza. Le funzioni di controllo e protezione sono incluse e consentono la progettazione di sistemi ad alta affidabilità. Linno...

Corrente di Source (Sorgente) 1 A Tipo di Interruttore di Potenza MOSFET Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Non-Invertente Tensione di alimentazione max 140 V Numero di pin 32 Pin Corrente di Sin...

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare bre...

MOSFET ; IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in grado di fornire ...