MOSFET  (24.136 offerte tra 5.583.201 articoli)

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.019 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N ...

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor

Tensione di test di Rds(on) 4 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.5 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transis...

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0018 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 5 Pin Montaggio Tra...

AEC-Q101. MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor. I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robu...

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.033 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N ...

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.07 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tran...

MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.098 ohm Gamma di prodotti SUPERFET III FRFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 P...

MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics. I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita...

Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 148 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.8 V Sostanze estremame...

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.2 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transi...