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MOSFET di potenza a canale P da 100 V a 150 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori ...
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MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 31 A, TO-220AB, Su foro (1 offerta) 
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MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 38 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (4 offerte) 
MOSFET di potenza a canale P da 100 V a 150 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori ...
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MOSFET Infineon, canale P, 400 mΩ, 2,3 A, SOIC, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di...
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MOSFET Infineon, canale P, 480 mΩ, 6,6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (1 offerta) 
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