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MOSFET Infineon, canale N, 13,7 mΩ, 20,5 mΩ, 9,1 A, 11 A, SOIC, Montaggio superficiale (1 offerta) MOSFET di potenza doppio a canale N, Infineon. I MOSFET di potenza doppi di Infineon integrano due dispositivi HEXFET® per fornire soluzioni di commutazione salvaspazio in progetti ad alta densità ... |
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