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Infineon IRFH5300 è una famiglia di MOSFET di potenza resistenti ottimizzati per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequ...

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che...

Configurazione diodi = SingoloV Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione di potenza massima = 1,3 W Tipo di package = DO-41 (DO-204AL) Tipo di zener = Planare in silicio Tolleranza i...

I diodi Zener serie PLZ Vishay consentono una dissipazione di potenza di 500 mW. Sono dotati di una bassa corrente di dispersione e forniscono uneccellente stabilità. La serie PLZ è in grado di sal...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 12 A Tensione massima drain source = 40 V Serie = OptiMOS 3 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima ...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 162 A Tensione massima drain source = 40 V Tipo di package = D2PAK (TO-263) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Res...

Configurazione diodi = SingoloV Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione di potenza massima = 1 W Tipo di package = SMA (DO-214AC) Tipo di zener = Impieghi generici Tolleranza in ten...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 240 A Tensione massima drain source = 80 V Serie = OptiMOS 5 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 82 A Tensione massima drain source = 80 V Serie = OptiMOS 3 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima ...

Configurazione diodi = SingoloV Numero di elementi per chip = 1 Dissipazione di potenza massima = 500 mW Tipo di package = MicroSMF (DO-219AC) Tipo di zener = Impieghi generici Numero pin = 2

Infineon offre unampia gamma di MOSFET di potenza qualificati per uso automobilistico a canale N 75V-100V che utilizzano la nuova tecnologia OptiMOS in vari contenitori. Una gamma RDS(ON) da 1.2mΩ ...

I MOSFET di potenza a canale N OptiMOS di Infineon sono sviluppati per aumentare lefficienza, la densità di potenza e lefficacia in termini di costi. Progettati per applicazioni ad alte prestazioni...

Picco della tensione ripetitiva inversa = 1600V Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo di package = AG-ECONO2A-8111

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 120 A Tensione massima drain source = 80 V Serie = OptiMOS 3 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 20 A Tensione massima drain source = 40 V Tipo di package = SuperSO8 5 x 6 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resi...