Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 82A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 650V Corrente di drenaggio: 78A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 205ns Tensione drenaggio-fonte: 850V Corrente di drenaggio: 110A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 220ns Tensione drenaggio-fonte: 650V Corrente di drenaggio: 108A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 900V Corrente di drenaggio: 109A Resistenza nello stato di conduzione: 10mΩ Polarizzazione...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 112A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 190ns Tensione drenaggio-fonte: 650V Corrente di drenaggio: 145A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 300V Corrente di drenaggio: 130A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 135ns Tensione drenaggio-fonte: 250V Corrente di drenaggio: 146A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 300V Corrente di drenaggio: 138A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 150V Corrente di drenaggio: 150A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 250V Corrente di drenaggio: 168A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV Corrente di drenaggio: 20A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 300V Corrente di drenaggio: 192A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 190ns Tensione drenaggio-fonte: 300V Corrente di drenaggio: 210A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 128ns Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 160A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 220A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 140ns Tensione drenaggio-fonte: 150V Corrente di drenaggio: 240A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 1kV Corrente di drenaggio: 24A Resistenza nello stato di cond...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 1kV Corrente di drenaggio: 23A Resistenza nello stato di cond...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV Corrente di drenaggio: 23A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV Corrente di drenaggio: 21,5A Resistenza nello stato di conduzione: 80mΩ Polarizzazio...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 172ns Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 300A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV Corrente di drenaggio: 30A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 150ns Tensione drenaggio-fonte: 170V Corrente di drenaggio: 260A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 1kV Corrente di drenaggio: 27A Resistenza nello stato di cond...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 1kV Corrente di drenaggio: 28A Resistenza nello stato di cond...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 70V Corrente di drenaggio: 340A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 150ns Tensione drenaggio-fonte: 150V Corrente di drenaggio: 310A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 180ns Tensione drenaggio-fonte: 1kV Corrente di drenaggio: 36A Resistenza nello stato di cond...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 132ns Tensione drenaggio-fonte: 150V Corrente di drenaggio: 400A Resistenza nello stato di co...
Attenzione! Il prodotto è in vendita solo per le quantità disponibili a magazzino. Nel caso di ordini per quantità superiori, questa sarà modificata portandola a quella disponibile. Produttore: IXY...
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Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 900V Corrente di drenaggio: 33A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 1kV Corrente di drenaggio: 38A Resistenza nello stato di cond...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 800V Corrente di drenaggio: 39A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 800V Corrente di drenaggio: 37A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 40A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 26ns Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV Corrente di drenaggio: 30A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 54ns Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV Corrente di drenaggio: 48A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 260ns Tensione drenaggio-fonte: 1kV Corrente di drenaggio: 44A Resistenza nello stato di cond...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 900V Corrente di drenaggio: 43A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 900V Corrente di drenaggio: 56A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 50A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 850V Corrente di drenaggio: 65A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 63A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 66A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 1,7kV Corrente di drenaggio: 67A Resistenza nello stato di conduzione: 23mΩ Polarizzazione...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 850V Corrente di drenaggio: 90A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 68A Resistenza nello stato di con...