Dimensioni memoria = 2Mbit Organizzazione = 128 k x 16 Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Dimensioni memoria = 2Mbit Organizzazione = 128 k x 16 Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Dimensioni memoria = 8Mbit Organizzazione = 512K x 16, 1M x 8 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 16, 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Dimensioni memoria = 8Mbit Organizzazione = 512K x 16, 1M x 8 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 16, 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Dimensioni memoria = 2Mbit Organizzazione = 128 k x 16 Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns
Dimensioni memoria = 9Mbit Organizzazione = 256k x 36 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 36bit Tempo di accesso casuale massimo = 2.8ns
Dimensioni memoria = 9Mbit Organizzazione = 256k x 36 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 36bit Tempo di accesso casuale massimo = 2.8ns
Il modello EERAM 47C04 Microchip Technology Inc è una SRAM di 4 Kbit con backup EEPROM. La memoria EERAM I2C è un NVSRAM a basso costo che elimina l’esigenza di una batteria esterna per conservare ...
Dimensioni memoria = 16kbit Organizzazione = 2048k x 8 bit Numero di parole = 2048k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 400ns Frequenza di clock = 1000kHz Bassa poten...
Dimensioni memoria = 16kbit Organizzazione = 2048k x 8 bit Numero di parole = 2048k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 400ns Frequenza di clock = 1000kHz Bassa poten...
Il modello EERAM 47C04 Microchip Technology Inc è una SRAM di 4 Kbit con backup EEPROM. La memoria EERAM I2C è un NVSRAM a basso costo che elimina l’esigenza di una batteria esterna per conservare ...
Dimensioni memoria = 16kbit Organizzazione = 2048k x 8 bit Numero di parole = 2048k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 400ns Frequenza di clock = 1000kHz Bassa poten...
Il modello EERAM 47C04 Microchip Technology Inc è una SRAM di 4 Kbit con backup EEPROM. La memoria EERAM I2C è un NVSRAM a basso costo che elimina l’esigenza di una batteria esterna per conservare ...
Dimensioni memoria = 16kbit Organizzazione = 2048k x 8 bit Numero di parole = 2048k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 400ns Frequenza di clock = 1000kHz Bassa poten...
Il modello EERAM 47C04 Microchip Technology Inc è una SRAM di 4 Kbit con backup EEPROM. La memoria EERAM I2C è un NVSRAM a basso costo che elimina l’esigenza di una batteria esterna per conservare ...
Dimensioni memoria = 16kbit Organizzazione = 2048k x 8 bit Numero di parole = 2048k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 400ns Frequenza di clock = 1000kHz Bassa poten...
Il modello EERAM 47C04 Microchip Technology Inc è una SRAM di 4 Kbit con backup EEPROM. La memoria EERAM I2C è un NVSRAM a basso costo che elimina l’esigenza di una batteria esterna per conservare ...
Dimensioni memoria = 4kbit Organizzazione = 512k x 8 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 400ns Frequenza di clock = 1000kHz Bassa potenza ...
Il modello EERAM 47C04 Microchip Technology Inc è una SRAM di 4 Kbit con backup EEPROM. La memoria EERAM I2C è un NVSRAM a basso costo che elimina l’esigenza di una batteria esterna per conservare ...
Il modello EERAM 47C04 Microchip Technology Inc è una SRAM di 4 Kbit con backup EEPROM. La memoria EERAM I2C è un NVSRAM a basso costo che elimina l’esigenza di una batteria esterna per conservare ...
RAM statica Alliance Memory. Il modello AS6C1008 è ben progettato per applicazioni di sistema a bassissima potenza, e particolarmente adatto per applicazioni di memoria non volatile di backup a bat...
Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 1M x 16 bit Numero di parole = 1 M Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenz...
Alta velocità tAA = 10 ns Codice di correzione degli errori (ECC) incorporato per la correzione degli errori a singolo bit Bassa potenza attiva ICC = 90 ma tipico Bassa potenza di standby CMOS ISB2...
CY7C1061G e CY7C1061GE sono dispositivi RAM CMOS statica veloce ad elevate prestazioni con ECC incorporato. Entrambi i dispositivi sono offerti in opzioni di abilitazione chip singolo e doppio e in...
Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 1M x 16 bit Numero di parole = 1M Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenza...
Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 512k x 16 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 32bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequ...
Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128000 byte x 8 bit Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 15ns Frequenza di clock = 104MHz Bassa pot...
Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128000 byte x 8 bit Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns Larghezza del bus indirizzi = 8bit Ba...
Gamma di temperature -da 40 °C a 85 °C Pin e funzione compatibili con CY7C99C. Alta velocità TAA = 10 ns Bassa potenza attiva ICC = 80 mA a 10 ns Bassa potenza di standby CMOS ISB2 = 3 mA Conservaz...
Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256 k x 16 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenza...
Alta velocità TAA = 10 ns / 15 ns Bassa corrente in standby e desercizio Corrente attiva: ICC = 38 ma tipica Corrente di standby: ISB2 = 6 ma tipica Gamma di tensione desercizio: Da 1,65 V a 2,2 V,...
Alta velocità tAA = 10 ns Gamma di temperature Automotive-e: Da -40°C a 125°C. Automotive-A: Da -40°C a 85°C. ECC incorporato per correzione degli errori a bit singolo[1, 2] Bassa corrente in stand...
Velocità molto elevata: 45 ns Gamma di tensione: Da 4,5 V a 5,5 V. Pin compatibile con CY62148B Bassissima potenza in standby Corrente di standby tipica: 1 μA Corrente di standby massima: 7 μA (ind...
Memoria SRAM Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor. I dispositivi di memoria SRAM MoBL a bassa potenza hanno un'elevata efficienza e offrono specifiche di dissipazione di potenza in...
Alta velocità tAA = 10 ns/15 ns Codice di correzione degli errori (ECC) incorporato per la correzione degli errori a singolo bit Bassa corrente attiva e di standby ICC = 90 ma tipico ISB2 = 20 mA t...
Cypress CY14X101PA combina una SRAM da 1 Mbit nv[1] con un RTC completo in un circuito integrato monolitico con interfaccia SPI seriale. La memoria è organizzata come 128K parole di 8 bit ciascuno....
Pin- e funzione-compatibile con CY7C109B/CY7C1009B Alta velocità tAA = 10 ns Bassa potenza attiva ICC = 80 ma a 10 ns Bassa potenza di standby CMOS ISB2 = 3 ma 2 V Data Retention Spegnimento automa...
Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128000 byte x 8 bit Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 8bit Fr...
Pin- e funzione-compatibile con CY7C1018CV33 Alta velocità tAA = 10 ns Bassa Potenza Attiva ICC = 60 ma @ 10 ns Bassa Potenza Di Standby Cmos ISB2 = 3 ma 2,0 V conservazione dei dati Spegnimento au...
Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 64k x 16 bit Numero di parole = 64k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenz...
