SRAM (128 articoli)

Dimensioni memoria = 128Mbit Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 35ns

Dimensioni memoria = 128Mbit Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 35ns

Gamma di temperature -da 40 °C a 85 °C Pin e funzione compatibili con CY7C99C. Alta velocità TAA = 10 ns Bassa potenza attiva ICC = 80 mA a 10 ns Bassa potenza di standby CMOS ISB2 = 3 mA Conservaz...

Memoria RAM statica asincrona, Cypress Semiconductor

Dimensioni memoria = 9Mbit Organizzazione = 256k x 36 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 36bit Tempo di accesso casuale massimo = 2.8ns

Dimensioni memoria = 9Mbit Organizzazione = 256k x 36 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 36bit Tempo di accesso casuale massimo = 2.8ns

Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128 k x 8 Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns

Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128 k x 8 Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns

Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128 k x 8 Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns

Pin- e funzione-compatibile con CY7C109B/CY7C1009B Alta velocità tAA = 10 ns Bassa potenza attiva ICC = 80 ma a 10 ns Bassa potenza di standby CMOS ISB2 = 3 ma 2 V Data Retention Spegnimento automa...

Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128 K x 8 Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit

Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128 K x 8 Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit

Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 512k x 16 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 32bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequ...

Alta velocità tAA = 10 ns/15 ns Codice di correzione degli errori (ECC) incorporato per la correzione degli errori a singolo bit Bassa corrente attiva e di standby ICC = 90 ma tipico ISB2 = 20 mA t...

CY7C1061G e CY7C1061GE sono dispositivi RAM CMOS statica veloce ad elevate prestazioni con ECC incorporato. Entrambi i dispositivi sono offerti in opzioni di abilitazione chip singolo e doppio e in...