SRAM (375 articoli)

Memoria SRAM Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor. I dispositivi di memoria SRAM MoBL a bassa potenza hanno un'elevata efficienza e offrono specifiche di dissipazione di potenza in...

La SRAM CMOS da 3,3 V della serie 71V416 di Renesas Electronics è organizzata in 256K x 16. Tutti gli ingressi e le uscite bidirezionali del modello 71V416 sono compatibili LVTTL e il funzionamento...

RAM statica, ISSI. I prodotti con RAM statica ISSI usano la tecnologia CMOS ad alte prestazioni. Esiste una vasta gamma di RAM statiche che comprende la SRAM asincrona da 5 V ad alta velocità, la S...

La SRAM CMOS da 3,3 V della serie 71V416 di Renesas Electronics è organizzata in 256K x 16. Tutti gli ingressi e le uscite bidirezionali del modello 71V416 sono compatibili LVTTL e il funzionamento...

Dimensioni memoria = 8Mbit Organizzazione = 1024 k x 8 Numero di parole = 1024k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns Bassa potenza = Sì Tipo di montaggio = Montag...

Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 512k x 8 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Bassa potenza = Sì Temporizzazione = Asincro...

Dimensioni memoria = 1MB Organizzazione = 256K x 16 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 12ns

Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256K x 16 Numero di parole = 256K Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Bassa potenza = Sì Temporizzazione = Asincrono...

Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 512k x 8 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns Larghezza del bus indirizzi = 8bit Frequenza...

Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256K x 16 Tempo di accesso casuale massimo = 12ns

Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 512k x 8 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Bassa potenza = Sì Temporizzazione = Asincro...

Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256k x 16 bit Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 12ns Bassa potenza = Sì Temporizzazione = Asinc...

Dimensioni memoria = 8Mbit Organizzazione = 512K x 16, 1M x 8 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 16, 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns

Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256k x 16 Tempo di accesso casuale massimo = 15ns

Cypress CY14X101PA combina una SRAM da 1 Mbit nv[1] con un RTC completo in un circuito integrato monolitico con interfaccia SPI seriale. La memoria è organizzata come 128K parole di 8 bit ciascuno....