Dimensioni memoria = 2Mbit Organizzazione = 128 k x 16 Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Dimensioni memoria = 2Mbit Organizzazione = 128 k x 16 Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Dimensioni memoria = 8Mbit Organizzazione = 512K x 16, 1M x 8 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 16, 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Dimensioni memoria = 8Mbit Organizzazione = 512K x 16, 1M x 8 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 16, 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Dimensioni memoria = 2Mbit Organizzazione = 128 k x 16 Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns
Dimensioni memoria = 9Mbit Organizzazione = 256k x 36 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 36bit Tempo di accesso casuale massimo = 2.8ns
Dimensioni memoria = 9Mbit Organizzazione = 256k x 36 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 36bit Tempo di accesso casuale massimo = 2.8ns
Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 1M x 16 bit Numero di parole = 1 M Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenz...
Alta velocità tAA = 10 ns Codice di correzione degli errori (ECC) incorporato per la correzione degli errori a singolo bit Bassa potenza attiva ICC = 90 ma tipico Bassa potenza di standby CMOS ISB2...
CY7C1061G e CY7C1061GE sono dispositivi RAM CMOS statica veloce ad elevate prestazioni con ECC incorporato. Entrambi i dispositivi sono offerti in opzioni di abilitazione chip singolo e doppio e in...
Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 1M x 16 bit Numero di parole = 1M Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenza...
Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 512k x 16 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 32bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequ...
Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128000 byte x 8 bit Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 15ns Frequenza di clock = 104MHz Bassa pot...
Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128000 byte x 8 bit Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns Larghezza del bus indirizzi = 8bit Ba...
Gamma di temperature -da 40 °C a 85 °C Pin e funzione compatibili con CY7C99C. Alta velocità TAA = 10 ns Bassa potenza attiva ICC = 80 mA a 10 ns Bassa potenza di standby CMOS ISB2 = 3 mA Conservaz...
Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256 k x 16 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenza...
Alta velocità TAA = 10 ns / 15 ns Bassa corrente in standby e desercizio Corrente attiva: ICC = 38 ma tipica Corrente di standby: ISB2 = 6 ma tipica Gamma di tensione desercizio: Da 1,65 V a 2,2 V,...
Alta velocità tAA = 10 ns Gamma di temperature Automotive-e: Da -40°C a 125°C. Automotive-A: Da -40°C a 85°C. ECC incorporato per correzione degli errori a bit singolo[1, 2] Bassa corrente in stand...
Velocità molto elevata: 45 ns Gamma di tensione: Da 4,5 V a 5,5 V. Pin compatibile con CY62148B Bassissima potenza in standby Corrente di standby tipica: 1 μA Corrente di standby massima: 7 μA (ind...
Memoria SRAM Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor. I dispositivi di memoria SRAM MoBL a bassa potenza hanno un'elevata efficienza e offrono specifiche di dissipazione di potenza in...
Alta velocità tAA = 10 ns/15 ns Codice di correzione degli errori (ECC) incorporato per la correzione degli errori a singolo bit Bassa corrente attiva e di standby ICC = 90 ma tipico ISB2 = 20 mA t...
Cypress CY14X101PA combina una SRAM da 1 Mbit nv[1] con un RTC completo in un circuito integrato monolitico con interfaccia SPI seriale. La memoria è organizzata come 128K parole di 8 bit ciascuno....
Pin- e funzione-compatibile con CY7C109B/CY7C1009B Alta velocità tAA = 10 ns Bassa potenza attiva ICC = 80 ma a 10 ns Bassa potenza di standby CMOS ISB2 = 3 ma 2 V Data Retention Spegnimento automa...
Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128000 byte x 8 bit Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 8bit Fr...
Pin- e funzione-compatibile con CY7C1018CV33 Alta velocità tAA = 10 ns Bassa Potenza Attiva ICC = 60 ma @ 10 ns Bassa Potenza Di Standby Cmos ISB2 = 3 ma 2,0 V conservazione dei dati Spegnimento au...
Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 64k x 16 bit Numero di parole = 64k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenz...
Questo dispositivo è dotato di una funzione di spegnimento automatico che riduce notevolmente il consumo energetico quando è deselezionato. I pin di ingresso e uscita (da i/O0 a i/O15) sono colloca...
Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 64k x 16 bit Numero di parole = 64k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenz...
Questo dispositivo è dotato di una funzione di spegnimento automatico che riduce notevolmente il consumo energetico quando è deselezionato. La scrittura sul dispositivo viene effettuata prendendo G...
Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 64k x 16 bit Numero di parole = 64k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Temporizzazione = Asincrono Tipo di montaggi...
Gamme di temperatura Industriale: da -40 a 85 °C Automotive-A: Da -40 °C a 85 °C. Pin e funzione compatibili con CY7C1021CV33 Alta velocità tAA = 10 ns Bassa potenza attiva ICC = 60 ma @ 10 ns Bass...
Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256 k x 16 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenza...
Alta velocità tAA = 10 ns/15 ns ECC incorporato per correzione degli errori a bit singolo[1, 2] Bassa corrente in standby e desercizio Corrente attiva: ICC = 38 mA tipica Corrente in standby: ISB2 ...
Velocità molto elevata: 45 ns Gamma di temperature Industriale: Da –40 °C a +85 °C. Ampia gamma di tensione: Da 2,20 V a 3,60 V. Bassissima potenza in standby Corrente di standby tipica: 1 A. Corre...
Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256k x 16 bit Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Freque...
Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256k x 16 bit Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Freque...
CY7C1049GN è un dispositivo RAM statico veloce CMOS ad elevate prestazioni organizzati come 512K parole per 8 bit. La scrittura dei dati è effettuata asserendo gli ingressi bassi Chip Enable (CE) e...
Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 512k x 8 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns Larghezza del bus indirizzi = 8bit Frequenza...
Dimensioni memoria = 1024kbit Organizzazione = 128000 byte x 8 bit Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns Larghezza del bus indirizzi = 8bit...
Cypress CY62128EV30 è un modulo RAM statica CMOS ad alte prestazioni dotato di Advanced Circuit Design per fornire una corrente attiva ultra bassa. Questa caratteristica si dimostra ideale per forn...