Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 1 M x 16, 2 M x 8 Numero di parole = 1000 k, 2000 k Numero di bit per parola = 8 bit, 16 bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256K x 16 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 20 ns, 25 ns, 45 ns
Dimensioni memoria = 4096kbit Organizzazione = 256k x 16 bit Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Fre...
Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 1 M x 16, 2 M x 8 Numero di parole = 1000 k, 2000 k Numero di bit per parola = 8 bit, 16 bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Dimensioni memoria = 4096kbit Organizzazione = 512k x 8 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns Larghezza del bus indirizzi = 8bit Freque...
Dimensioni memoria = 8Mbit Organizzazione = 512K x 16, 1M x 8 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 16, 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Dimensioni memoria = 4096kbit Organizzazione = 512k x 8 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 8bit Frequ...
CY7C1061G e CY7C1061GE sono dispositivi RAM CMOS statica veloce ad elevate prestazioni con ECC incorporato. Entrambi i dispositivi sono offerti in opzioni di abilitazione chip singolo e doppio e in...
Dimensioni memoria = 1024kbit Organizzazione = 128000 byte x 8 bit Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns Larghezza del bus indirizzi = 8bit...
Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128000 byte x 8 bit Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 8bit Fr...
Cypress Semiconductor serie CY62147EV30 è una RAM statica CMOS ad alte prestazioni organizzata come 256K parole da 16 bit. Questo dispositivo è dotato di un Advanced Circuit Design per fornire una ...
Alta velocità tAA = 10 ns Gamma di temperature Automotive-e: Da -40°C a 125°C. Automotive-A: Da -40°C a 85°C. ECC incorporato per correzione degli errori a bit singolo[1, 2] Bassa corrente in stand...
Dimensioni memoria = 9Mbit Organizzazione = 256k x 36 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 36bit Tempo di accesso casuale massimo = 2.8ns
Dimensioni memoria = 512kbit Organizzazione = 32 k x 16 Numero di parole = 32k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenza...
Dimensioni memoria = 2Mbit Organizzazione = 128 k x 16 Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Memoria SRAM Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor. I dispositivi di memoria SRAM MoBL a bassa potenza hanno un'elevata efficienza e offrono specifiche di dissipazione di potenza in...
Gamma di temperature -da 40 °C a 85 °C Pin e funzione compatibili con CY7C99C. Alta velocità TAA = 10 ns Bassa potenza attiva ICC = 80 mA a 10 ns Bassa potenza di standby CMOS ISB2 = 3 mA Conservaz...
Alta velocità tAA = 10 ns/15 ns Codice di correzione degli errori (ECC) incorporato per la correzione degli errori a singolo bit Bassa corrente attiva e di standby ICC = 90 ma tipico ISB2 = 20 mA t...
Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 512k x 16 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 32bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequ...
Dimensioni memoria = 8Mbit Organizzazione = 512K x 16 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 20 ns, 25 ns, 45 ns
Dimensioni memoria = 8Mbit Organizzazione = 512K x 16 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 20 ns, 25 ns, 45 ns
Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 1M x 16 bit Numero di parole = 1M Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenza...
Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256K x 16 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 20 ns, 25 ns, 45 ns
Alta velocità tAA = 10 ns Codice di correzione degli errori (ECC) incorporato per la correzione degli errori a singolo bit Bassa potenza attiva ICC = 90 ma tipico Bassa potenza di standby CMOS ISB2...
Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 1M x 16 bit Numero di parole = 1 M Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenz...
Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 1 M x 16, 2 M x 8 Numero di parole = 1000 k, 2000 k Numero di bit per parola = 8 bit, 16 bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns
Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256k x 16 bit Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Freque...
Dimensioni memoria = 1Mbit Organizzazione = 128000 byte x 8 bit Numero di parole = 128k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 15ns Frequenza di clock = 104MHz Bassa pot...
