SRAM (128 articoli)

Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 512K x 8 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 8bit

Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 256 k x 16 Numero di parole = 256k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenza...

Cypress CY7C1049G è un dispositivo RAM statica veloce CMOS ad alte prestazioni con ECC incorporato. Disponibili in opzioni di abilitazione chip singolo e doppio e in configurazioni con pin multipli...

Alta velocità TAA = 10 ns / 15 ns Bassa corrente in standby e desercizio Corrente attiva: ICC = 38 ma tipica Corrente di standby: ISB2 = 6 ma tipica Gamma di tensione desercizio: Da 1,65 V a 2,2 V,...

Gamme di temperatura Industriale: da -40 a 85 °C Automotive-A: Da -40 °C a 85 °C. Pin e funzione compatibili con CY7C1021CV33 Alta velocità tAA = 10 ns Bassa potenza attiva ICC = 60 ma @ 10 ns Bass...

Velocità molto elevata: 45 ns Gamma di tensione: Da 4,5 V a 5,5 V. Pin compatibile con CY62148B Bassissima potenza in standby Corrente di standby tipica: 1 μA Corrente di standby massima: 7 μA (ind...

Alta velocità tAA = 10 ns/15 ns ECC incorporato per correzione degli errori a bit singolo[1, 2] Bassa corrente in standby e desercizio Corrente attiva: ICC = 38 mA tipica Corrente in standby: ISB2 ...

Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 512 k x 8 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns

Dimensioni memoria = 128Mbit Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 35ns

CY7C1049GN è un dispositivo RAM statico veloce CMOS ad elevate prestazioni organizzati come 512K parole per 8 bit. La scrittura dei dati è effettuata asserendo gli ingressi bassi Chip Enable (CE) e...

Memoria RAM statica asincrona, Cypress Semiconductor

Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 512 k x 8 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns

Memoria SRAM Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor. I dispositivi di memoria SRAM MoBL a bassa potenza hanno un'elevata efficienza e offrono specifiche di dissipazione di potenza in...

Dimensioni memoria = 4Mbit Organizzazione = 512k x 8 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns Larghezza del bus indirizzi = 8bit Frequenza...

Dimensioni memoria = 8Mbit Organizzazione = 512K x 16, 1M x 8 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 16, 8bit Tempo di accesso casuale massimo = 45ns