Il diodo in silicio di potenza per controller emettitore switching Infineon Rapid serie 2 in un contenitore TO-247 è progettato per le applicazioni che commutano tra 40 kHz e 100 kHz. Ha una corren...
Corrente massima di forward = 30A Numero di elementi per chip = 1 Massima tensione inversa = 600V Tipo di package = TO-247 Tecnologia del diodo = Giunzione al silicio Numero pin = 3
Configurazione diodi = Singolo Numero di elementi per chip = 1 Massima tensione inversa = 650V Tipo di package = TO-247 Tecnologia del diodo = Giunzione al silicio Numero pin = 3
Corrente massima di forward = 40A Numero di elementi per chip = 1 Massima tensione inversa = 650V Tipo di package = TO-247 Tecnologia del diodo = Giunzione al silicio Numero pin = 3
Diodo in silicio di potenza per controller emettitore switching serie Infineon Rapid 1 in configurazione a catodo comune e in un contenitore TO-247, che consente lottimizzazione del progetto per di...
Diodi controllati per emettitore a switching rapido, Infineon. I diodi switching Infineon controllati dall'emettitore e i diodi con recupero ultra-morbido da 600 V/1200 V fanno parte delle famiglie...
Diodo in silicio di potenza per controller emettitore switching Infineon Rapid 1 in configurazione a doppio anodo e in un contenitore TO-247, che consente lottimizzazione del progetto per dimension...
Diodo in silicio di potenza per controller emettitore switching serie Infineon Rapid 1 in configurazione a catodo comune e in un contenitore TO-247, che consente lottimizzazione del progetto per di...
Diodo in silicio di potenza per controller emettitore switching serie Infineon Rapid 1 in configurazione a catodo comune e in un contenitore TO-247, che consente lottimizzazione del progetto per di...
Diodi controllati per emettitore a switching rapido, Infineon. I diodi switching Infineon controllati dall'emettitore e i diodi con recupero ultra-morbido da 600 V/1200 V fanno parte delle famiglie...
Diodi di commutazione piccolo segnale, Nexperia. Caratteristiche. Supporta progetti di circuiti personalizzati ad alta densità Sono disponibili tipi a bassa dispersione e ad alta tensione Elevate v...
Diodi di commutazione piccolo segnale, Nexperia. Caratteristiche. Supporta progetti di circuiti personalizzati ad alta densità Sono disponibili tipi a bassa dispersione e ad alta tensione Elevate v...
Diodi di commutazione piccolo segnale, Nexperia. Caratteristiche. Supporta progetti di circuiti personalizzati ad alta densità Sono disponibili tipi a bassa dispersione e ad alta tensione Elevate v...
Diodi di commutazione piccolo segnale, Nexperia. Caratteristiche. Supporta progetti di circuiti personalizzati ad alta densità Sono disponibili tipi a bassa dispersione e ad alta tensione Elevate v...
Diodi di commutazione piccolo segnale, Nexperia. Caratteristiche. Supporta progetti di circuiti personalizzati ad alta densità Sono disponibili tipi a bassa dispersione e ad alta tensione Elevate v...
Diodi di commutazione piccolo segnale, Nexperia. Caratteristiche. Supporta progetti di circuiti personalizzati ad alta densità Sono disponibili tipi a bassa dispersione e ad alta tensione Elevate v...
I prodotti con codici costruttore con prefisso NSV o S sono qualificati per l'uso automobilistico in conformità a AEC-Q101. Diodi raddrizzatori, da 1 A a 1,5 A, ON Semiconductor
I prodotti con codici costruttore con prefisso NSV o S sono qualificati per l'uso automobilistico in conformità a AEC-Q101. Diodi raddrizzatori, da 4 A a 9 A, ON Semiconductor
I prodotti con codici costruttore con prefisso NSV o S sono qualificati per l'uso automobilistico in conformità a AEC-Q101. Diodi raddrizzatori, da 1 A a 1,5 A, ON Semiconductor
Raddrizzatori a recupero standard con terminale assiale ON Semi 1N4001-1N4007. Questa gamma di prodotti on Semiconductor è costituita dai raddrizzatori standard progettati specificamente per applic...
I prodotti con codici costruttore con prefisso NSV o SUR sono qualificati per l'uso automobilistico in conformità a AEC-Q101. Diodi raddrizzatori, da 2 A a 3 A, ON Semiconductor
Il diodo a recupero super rapido ROHM è utilizzato principalmente per rettifica generale. Ha una tensione nominale inversa di 350 V.Bassa perdita di commutazione Alta capacità di sovraccarico di co...
Corrente massima di forward = 1A Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Massima tensione inversa = 350V Tipo di package = TO-252GE Tecnologia del diodo = Giunzione al silicio Numero pin = 3
Il diodo a recupero super rapido ROHM è utilizzato principalmente per rettifica generale. Ha una tensione nominale inversa di 600 V.Tensione diretta molto bassa Bassa perdita di commutazione Alta c...
Configurazione diodi = Singolo Numero di elementi per chip = 1 Massima tensione inversa = 600V Tipo di package = TO-252 Tecnologia del diodo = Giunzione al silicio Numero pin = 3
Corrente massima di forward = 1A Numero di elementi per chip = 1 Massima tensione inversa = 600V Tipo di package = TO-252 Tecnologia del diodo = Giunzione al silicio Numero pin = 3
Il diodo a recupero super rapido ROHM è utilizzato principalmente per rettifica generale. Ha una tensione nominale inversa di 600 V.Tensione diretta molto bassa Bassa perdita di commutazione Alta c...
Il diodo a recupero super rapido ROHM è utilizzato principalmente per rettifica generale. Ha una tensione nominale inversa di 600 V.Bassa perdita di commutazione Alta capacità di sovraccarico di co...
Corrente massima di forward = 1A Numero di elementi per chip = 2 Massima tensione inversa = 600V Tipo di package = TO-252GE Tecnologia del diodo = Giunzione al silicio Numero pin = 3
ROHM BAV99HYFH è unelevata affidabilità e diodi a infrarossi bassi per la commutazione ad alta velocità. Questo prodotto è conforme alla certificazione AEC-Q101.Elevata affidabilità Tipo stampato c...
