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  IGBT (1.544 articoli)

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Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Configurazione = Single
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partire da € 207,66*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partire da € 7,519*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
a partire da € 268,6302*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Configurazione = Single
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
a partire da € 9,419*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65RH5XKSA1
a partire da € 6,017*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 274 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partire da € 220,1502*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partire da € 8,333*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 75 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM75GB12F4
a partire da € 568,872*
per 8 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 75 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM75GB12F4
a partire da € 55,556*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAL12F4
a partire da € 2.249,57004*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAL12F4
a partire da € 152,162*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAR12F4
a partire da € 2.257,16004*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAR12F4
a partire da € 152,06*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM400GB12F4
a partire da € 3.217,578*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM400GB12F4
a partire da € 218,089*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 300 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 300 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM300GB12F4
a partire da € 2.577,29208*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 300 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 300 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM300GB12F4
a partire da € 173,68*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 200 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM200GB12F4
a partire da € 2.166,252*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 200 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM200GB12F4
a partire da € 143,289*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM150GB12F4
a partire da € 805,28*
per 8 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM150GB12F4
a partire da € 81,531*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM150GB12F4G
a partire da € 1.802,66208*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM100GAL12F4
a partire da € 482,16*
per 8 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM100GAL12F4
a partire da € 48,677*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM100GAR12F4
a partire da € 481,874*
per 8 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM100GAR12F4
a partire da € 48,934*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM100GB12F4
a partire da € 642,568*
per 8 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 95 A, ACEPACK 2 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 95 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 275 W Tipo di package = ACEPACK 2
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
a partire da € 43,583*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 95 A, ACEPACK 2 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 95 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 275 W Tipo di package = ACEPACK 2
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
a partire da € 55,303*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IGW50N65F5FKSA1
a partire da € 2,37*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IGW50N65F5FKSA1
a partire da € 3,18*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65F5FKSA1
a partire da € 2,11*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65F5FKSA1
a partire da € 2,784*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
a partire da € 3,162*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
a partire da € 3,238*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65RH5XKSA1
a partire da € 5,20*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
a partire da € 131,97*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
a partire da € 5,037*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO220-3 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 105 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
a partire da € 1,02*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 105 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
a partire da € 1,52*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 90 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 3 Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IGP50N60TXKSA1
a partire da € 137,07*
per 50 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 90 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 333 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IGP50N60TXKSA1
a partire da € 2,716*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 24 A, PG-TO-220-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 24 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 110 W Tipo di package = PG-TO-220-3
Infineon
IKP10N60TXKSA1
a partire da € 0,639*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 24 A, PG-TO-220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 24 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 110 W Tipo di package = PG-TO-220-3
Infineon
IKP10N60TXKSA1
a partire da € 1,02*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, PG-TO263-7 (2 offerte) 
Tipo di package = PG-TO263-7
Infineon
IMBG120R350M1HXTMA1
a partire da € 3,516*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, PG-TO263-7 (1 offerta) 
Tipo di package = PG-TO263-7
Infineon
IMBG120R350M1HXTMA1
a partire da € 4,479*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, SDIP2B (2 offerte) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-L
a partire da € 12,59*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, SDIP2B (1 offerta) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-L
a partire da € 12,056*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 18 A, canale N, SDIP (2 offerte) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIPS20K60
a partire da € 11,751*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, SDIP2F (2 offerte) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIF10CH60TS-L
a partire da € 9,464*
per pezzo
 
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